Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 SODIMM CL19 SP004GBSFU266N02
Информация о продукте
EAN/UPC Код 4713436123347Гарантийный срок 1 г.
Срок службы 3 г.
CL 19
Количество контактов 260
Количество модулей в комплекте 1 шт.
Напряжение питания 1.2 В
Объем одного модуля 4 ГБ
Пропускная способность PC21300
Тактовая частота 2666 МГц
Тип DDR4
Все характеристики -->
Подробнее о товаре, сроках доставки и пунктах самовывоза, можете узнать на сайтах продавцов
от 970.00₽
Спецификация Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 SODIMM CL19 SP004GBSFU266N02
Дополнительно | |
Гарантийный срок | 1 г. |
Срок службы | 3 г. |
Характеристики | |
CL | 19 |
Количество контактов | 260 |
Количество модулей в комплекте | 1 шт. |
Напряжение питания | 1.2 В |
Объем одного модуля | 4 ГБ |
Пропускная способность | PC21300 |
Тактовая частота | 2666 МГц |
Тип | DDR4 |
Форм-фактор | SODIMM |