Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 SODIMM CL19 SP004GBSFU266N02

Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 SODIMM CL19 SP004GBSFU266N02



Информация о продукте

EAN/UPC Код 4713436123347
Гарантийный срок 1 г.
Срок службы 3 г.
CL 19
Количество контактов 260
Количество модулей в комплекте 1 шт.
Напряжение питания 1.2 В
Объем одного модуля 4 ГБ
Пропускная способность PC21300
Тактовая частота 2666 МГц
Тип DDR4

Все характеристики -->

Подробнее о товаре, сроках доставки и пунктах самовывоза, можете узнать на сайтах продавцов


от 970.00₽

Продавцы
smart-trade
Самовывоз: есть
Доставка: от 390р
970.00₽

Спецификация Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 SODIMM CL19 SP004GBSFU266N02

Дополнительно
Гарантийный срок 1 г.
Срок службы 3 г.
Характеристики
CL 19
Количество контактов 260
Количество модулей в комплекте 1 шт.
Напряжение питания 1.2 В
Объем одного модуля 4 ГБ
Пропускная способность PC21300
Тактовая частота 2666 МГц
Тип DDR4
Форм-фактор SODIMM